RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link