RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3681
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link