RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link