RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link