RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link