RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link