RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology 11137401 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology 11137401 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link