RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link