RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link