RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link