RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link