RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link