RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link