RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3759
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link