RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link