RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link