RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link