RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
83
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
83
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1663
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link