RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link