RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link