RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
64
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link