RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3231
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link