RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2935
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link