RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link