RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3533
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link