RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs INTENSO 5641152 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641152 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2215
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
INTENSO 5641152 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link