RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link