RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link