RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link