RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link