RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link