RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
56
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1964
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link