RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link