RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link