RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3167
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link