RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link