RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link