Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 71

Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 8.0

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.5 13.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2423 1863

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns