RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2590
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link