RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2400U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
90
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,140.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
90
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,699.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,140.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
436
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link