RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
2321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link