RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,755.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,813.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,755.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
591
2321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link