RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology 11137401 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology 11137401 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link