RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
79
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1850
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link