RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link