RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link