RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
65
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link