RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link