RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link