RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link