RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2817
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link