RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMY8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link