RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
72
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
72
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link